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激光焊接/打印/熔覆測溫成像:
請使用德國DIAS紅外公司
低價格單色紅外測溫儀DG40N(500~3000°C)
雙色紅外測溫儀DGR10N(300~3750°C)
測溫成像的紅外熱像儀為:
PYROVIEW 768N compact+
測溫成像溫度:800-1800°C及1200-3000°C

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太陽能行業(yè)晶體生長用DIAS紅外測溫儀

規(guī)格:DG42N , DS42N 等

單位:

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性能標簽:

太陽能行業(yè)晶體生長用DIAS紅外測溫儀 ,


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產(chǎn)品詳細描述


要生產(chǎn)晶圓,例如要生產(chǎn)太陽能晶圓產(chǎn)品,晶體需要從所謂的晶體生長爐(單晶爐、多晶爐)內(nèi)的熔液拉出。 

從熔液形成的晶體生長由晶體化的熔液慢慢冷卻形成的。因此,測量熔液的溫度很重要,同樣,測量加熱元件的溫度以準確控制過程也很重要。這二個溫度需要協(xié)調(diào)好,以確保晶體生長的優(yōu)化。

德國DIAS紅外測溫儀在太陽能行業(yè)的應(yīng)用

在晶體生長公司生產(chǎn)的晶體是太陽能行業(yè)晶圓需要的物件。要保證最優(yōu)的晶體生長過程,過程中的溫度必須要保證正確無誤。德國DIAS紅外公司生產(chǎn)的PYROSPOT系列紅外測溫儀可以確保實現(xiàn)晶體生長過程中的溫度的準確測量。 

德國DIAS紅外測溫10系列、40系列、42系列、44系列適合這些晶體生長的測溫。主要可用的型號有DS40N、DS44NDG42N、DS42N,測溫范圍為350~2500°C,均為短波紅外測溫儀。根據(jù)晶體生長系統(tǒng)的型號,也可以使用DSR10N、DSR44N雙色紅外測溫儀。44系列、10系列還可以兼容總線系統(tǒng),易于集成到現(xiàn)有控制系統(tǒng)中去。

 

Different steps of the crystal growing.
                                 不同的晶體生長步驟
Different steps of the crystal growth.
測量晶體生長過程中的熔化溫度、加熱元件的溫度,可采用DIAS 上述紅外測溫儀

在空間比較狹小的地方,推薦使用光纖紅外測溫儀。比如可以使用DSF40NDSF44N系列,測溫范圍600 ~ 1800 °C ,最小探頭光圈僅僅12 mm。此外,還可以選擇直角鏡或彎曲的光纖電纜。測量光斑僅僅幾個毫米直徑。從而,對這些溫度測量任務(wù),選擇最優(yōu)的紅外測溫儀光學(xué)系數(shù),可以觀測和控制這些晶體生長過程。

更多信息:



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